ورود به سایت

در سایت حساب کاربری ندارید؟ ثبت نام در سایت (به زودی!)

ثبت نام

دانلود انواع مقالات آی اس آی

دسته بندی مقالات

با عضویت در سایت مقاله یاب از تخفیف ویژه بهرمند شوید! عضويت (به زودی!)
تاریخ امروز
سه شنبه, ۱۲ اسفند

تابش در اثر کریستال لایه از گاز و گاز

Radiation Effect on Layered Crystals of GaS and GaS

نویسندگان

این بخش تنها برای اعضا قابل مشاهده است

ورودعضویت
اطلاعات مجله sciencepg
سال انتشار 2017
فرمت فایل PDF
کد مقاله 27188

پس از پرداخت آنلاین، فوراً لینک دانلود مقاله به شما نمایش داده می شود.

اضافه‌کردن به سبدخرید

چکیده (انگلیسی):

It has been conducted the analysis of IR-absorption spectra of layered single crystals of GaS and GaS <Yb>, irradiated by gamma-quanta with subsequent annealing. It has been found that, a part of impurity atoms, introduced during the growth of crystals, as well as point defects, formed by irradiation, are located in the interlayer space, that indicates the decrease in the intensity and extension of the half-width bands 188 and 184 cm-1 in the IR spectra. During the annealing (T = 150°C, t = 150 min.) of irradiated samples there occurs an increase of intensity and a decrease of the half-width of these bands, which is caused by partial annealing of radiation defects and the transition of a part of impurity atoms from the interlayer area in the layer.

کلمات کلیدی مقاله (فارسی):

IR-جذب، تابش، نیمه هادی، نقص، آنیل

کلمات کلیدی مقاله (انگلیسی):

IR-Absorption, Radiation, Semiconductor, Defects, Annealing

پس از پرداخت آنلاین، فوراً لینک دانلود مقاله به شما نمایش داده می شود.

اضافه‌کردن به سبدخرید
کلیه حقوق مادی و معنوی برای ایران مقاله محفوظ است
در حال بارگذاری